【主管Q:34518577】无极网页登录美国普渡大学(Purdue University)研讨人员曾经证明可与互补式金属氧化物半导体(CMOS)相容、且速度可达4THz(Terahertz)的全光敏电芯片体(All-optical Transistor)，可能比矽电芯片体(Silicon Transistor)快上1000倍。
依据普渡大学的研讨，纳米光电芯片体(Nano-photonic Transistor)在低温制程下，可被制造在CMOS上方，进而达成减少5000倍以上切换时间—即少于300飞秒(fs)，或者简直接近4THz的速度。

“在近4THz速度的限制时间是接近300飞秒，固然切换的速度能够更快，但前提是得牺牲一些效能。”Nathaniel Kinsey表示。Nathaniel Kinsey是和普渡大学教授Alexandra Boltasseva(双学位)与普渡大学Birck 纳米技术中心(Birck Nanotechnology Center)纳米光学科学主任Vladimir Shalaev一同停止研讨的博士生。

Kinsey补充，重要的是，无极需要登录吗?电芯片领会遭到RC延迟时间的限制，但这样的限制状况对全光敏电芯片体来说反而是重组时间(Recombination Time)。这是完整不同的机制，后者能够使工程性能更自在，且比起电子副本(Electrical Counterpart)可到达更快的开关速度响应。

透明导电氧化物由可和CMOS相容的光子电芯片体资料所构成，具备光学低损耗，因而能够在够低温的制程后段(BE白领)制造。透明导电氧化物的类金属、多功用及可调谐特性，使其十分合适制造在CMOS上的光敏电芯片体，但是，过去其用于辐射光子的迟缓电子孔(Electron-hole)重组时间超越100皮秒(ps)，从而限制了速度及该讯号被调制的特性。普渡大学的研讨人员如今已将时间缩短到小于1皮秒—使光敏电芯片体足以“跑赢”矽。AZO薄膜制造时，随同着深层缺陷及超高附载流浓度，无极168让研讨者的示范元件有40%的反射率调制电位和在低功率状态下的低于1皮秒重组时间—每平方米小于毫焦耳(miliJoule)--在1.3微米的电信波长时。

AZO电浆氧化物资料被研讨人员预测，其通讯速度有才能比其他一切主流的电信波长都还要快10倍，而全光敏电芯片体应用光同时为数据流和控制讯号调理数据，而不是像现今运用电子讯号来控制和调制。AZO薄膜能够被工程化以增加或减少的反射率，以在数据传输期间停止1和0的编码。研讨人员的下一步是在一个简单的应用上制造可运作的安装。