【主管Q:34518577】无极平台注册登录日本大厂松下(Panasonic)最近与比利时研讨机构 Imec共同宣布，他们开发出一种40纳米氧化钽(TaOx)技术，具备准确的丝状定位(filament positioning)以及高温稳定性，能运用于电阻式记忆体(ReRAM或RRAM)。上述成果是在7月于日本京都举行的VLSI技术顶峰会上发表，并为完成传统NOR快闪记忆体呈现微缩限制的28纳米嵌入式应用开启了大门；Panasonic与Imec开发了一种处理计划，能克制ReRAM的丝状不稳定性(filament instability)，这是会在电阻式记忆体读取运作时影响记忆体状态的关键参数之一。

依据在VLSI技术顶峰会上发表的论文，Imec与Panasonic提出以氧化钽为根底的ReRAM，具备合适28纳米嵌入式应用的准确丝状定位与高温稳定性。该记忆体单元是应用数种新开发的制程技术以及单元构造来完成，包括低损伤蚀刻(low-damage etching)、无极可信吗?记忆体单元侧氧化(cell side oxidation)，以及密封(encapsulated)的记忆体单元构造。

在Imec/Panasonic的制程中，ReRAM被放置在两个金属层之间，包括物理气相堆积(PVD)4纳米五氧化二钽(Ta2O5) /20纳米氧化钽堆叠层，与20纳米氮化钽(TaN)底部电极(bottom electrode，BE)以及40纳米銥(Iridium)顶部电极(top electrode，TE)；丝状物位置接近会由于蚀刻制程而受损的记忆体单元边缘，含有大量的游离氧原子，因而假如丝状物位置接近受损区域，其中的游离氧在材料贮存时容易扩散到丝状物。

记忆体单元边缘的管理，是丝状物控制的关键局部；在大型记忆体单元中，丝状物仍远离受损区域，但是在40纳米或28纳米的ReRAM记忆体单元，丝状物位置就会更接近会产生额外游离氧的受损区域。新开发的处理计划能在记忆体单元中央构成丝状物，无极2登录同时也证明该计划在20纳米尺寸记忆体单元的可行性；Imec/Panasonic论文作者表示，他们在2Mbit的40纳米ReRAM到达10万次读写周期、在摄氏85度保管10年材料的牢靠性。