【主管Q:34518577】无极登录网址美国莱斯大学(Rice University)教授James Tour及其研讨团队日前分离新颖的记忆体架构、室温处置以及高密度电阻资料堆叠，制造出一种三维(3D)堆叠的非挥发性电阻式随机存取记忆体(RRAM)，可在速度与每交织位元(bits-per-crossbar)方面超越竞争设计。
这种RRAM的关键在于采用了一种具有每位元内建萧特基(Schottky)触点的资料堆叠，从而取代了目前大部份高效率设计所需的二极体；James Tour并声称这种资料援助超低漏电流(潜行电流)，因此可完成高达162Gigabit (20GB)的交织阵列。

经过上面的视讯，无极平台注册从莱斯大学开发基于氧化钽的记忆体切片中，分明地显现了资料中的部份互连以及随机散布的内部孔隙。

“我们所开发的超高密度非挥发性电阻式记忆体运用了一种可在室温下制造的3D资料，”Tour表示：“每个元件都表现出优良的无选择器(selector-less)记忆体开关比——在3.6V时高于10。”

Tour主导的莱斯大学团队多年来不断努力于RRAM的研讨，先前的研讨成果曾经受权制造了。依据Tour表示，无极怎么注册?上一代的RRAM设计应用氧化矽作为主动资料，曾经受权给台拉维夫(Tel Aviv)业者Weebit Nano Ltd.。