【主管Q:34518577】无极2登录英特尔(Intel)与美光(Micron)最近发表了3D XPoint非挥发性记忆体，却不愿意透露该记忆体采用的资料或是开关机制；不过从一些间接证据可发现，该记忆体应该是以2x纳米或1x纳米技术产出的相变化记忆体(phase-change memory，PCM)，而制程的微缩、创新的硫属玻璃(chalcogenide glass)混合资料以及其他技术开展，可能是让该种记忆体到达两家公司所宣称之性能改善的主要缘由。2x纳米的制程尺寸能由典型的裸芯片大小来推估，假定是一个4F2记忆体单元，以及依据128Gbit容量3D Xpoint记忆体内含两个具备640亿记忆体单元的平面(plane)之既有资讯。1平方公分的裸芯片面积推估出19纳米或更小的制程尺寸，而更大尺寸的裸芯片制程尺寸最高不超越27纳米。

3D XPoint技术的神秘颜色引来不少猜想，依据英特尔非挥发记忆体部门总经理Rob Crooke以及美光CEOMark Durcan的形容，该技术是“根底性的打破”；而他们也表示该记忆体是“块状开关(bulk switching)”，意味着它具备非丝状(non-filamentary)特性。英特尔的确曾表示，3D XPoint不应该被称作是一种电阻式记忆体(ReRAM)，但什么是或不是电阻式记忆体其实并没有正式的定义。

英特尔也表示，3D XPoint记忆体单元是以块状资料的电阻变化来运作，这使其契合电阻式记忆体的普遍定义，但它仍有可能是相变化记忆体。我也不肯定我能否会将相变化记忆体形容为块状，无极可信吗?由于它是出自于经过资料的电流所产生的热脉冲；但能够说，有显着数量的活性资料在一个足够小的穿插点阅历了相变化。

3D XPoint 与过去曾呈现过的PSMS──堆叠式排列的PCM与选择器二极体(selector diode)──实体布线图有相似之处。经过搜索专利与专利申请案材料库，可找到至少20项在最近几年授予英特尔或美光的专利，不是与相变化、PCM/PCMS直接相关，就是被写成更普遍的非挥发性记忆体，但以PCM/PCMS作为详细实例；此外还有许多未被授予的专利。

在同样的搜索条件下，无极平台注册登录更难找到有关其他非挥发性记忆体的内容；PCMS搜索结果的频繁呈现，似乎意味着3D XPoint 记忆体的背后机制可能就是相变化，但并不能下定论。3D XPoint发表会上，英特尔与美光的高层表示该记忆体是一种全新技术，其实英特尔早在2009年就曾发表过单层PCMS记忆体研发成果(参考连结)。

美光的Durcan在发表会上被请求比拟3D XPoint与相变化记忆体，以及解释为何3D XPoint可能更具胜利优势，他的答复是：“关于相变化记忆体──这种技术曾经在市场上一段时间，美光也有一些经历──在记忆体阶级(memory hierarchy)方面有十分不同的架构，由于在速度、非挥发性与性能上都有显着的改善。”这似乎意指3D XPoint并非相变化记忆体，而是在其根底上改善。

相变化记忆体具有漫长而坎坷的开展历史，或许英特尔与美光是选择将3D XPoint定义为不同于PCM的某种东西？美光先前曾尝试销售90纳米与45纳米制程的相变化记忆体，但后来将该产品从官网上移除，并在2014年1月时表示，该公司正在评价能否将继续研发相变化记忆体技术。

最近在美光官网上又重新呈现了PCM产品的规格表，而且该公司表示：“美光持续创新PCM，在两代PCM制程技术之后，我们正在开发最新一代制程，以到达更低的每位元本钱、更低的功耗以及更高的性能；PCM是美光正在投资的数种新兴记忆体技术之一。”该公司指出，2x纳米或1x纳米的相变化记忆体制程能打造双层的128Gbit容量3D XPoint技术，但也还有其他新兴记忆体技术。