首款高频宽记忆无极怎么注册体内部架构揭密
【主管Q:34518577】无极怎么注册韩国记忆体芯片片制造商海力士(SK Hynix)在2014年初发布其高频宽记忆体(HBM)产品,并声称是全球首款采用2Gb、20nm节点制造的8Gb DDR4 SDRAM模组。最近,该公司在历经将近一年的时间后,总算让这款HBM模组呈现在下游产品中——AMD Radeon390X Fury绘图卡。
AMD近日推出其Radeon R9 Fury X系列绘图处置单元(GPU),无极体育装备了海力士的4GB高频宽HBM。在TechInsights的实验室中刚好就有几款这样的Fury X绘图卡,其GPU如图1所示。在该模组正中央看到的是GPU芯片片,周围盘绕着4个海力士HBM记忆体模组。该GPU与HBM模组采用覆芯片封装衔接至联电(UMC)制造的中介层,再衔接至层叠的基板。中间这一大块GPU的尺寸为23mm x27mm,据信是采用了台积电(TSMC)的28nm高介电金属闸极(HKMG)制程制造。
该HBM应用矽穿孔(TSV)技术与中介层,无极用户注册完成比GDDR5 DRAM更高的频宽、更佳电源效率以及更小的外表积。应用TSV方式衔接DRAM芯片片与根底逻辑芯片片,这对DRAM来说还是十分新的技术。三星(Samsung)的20nm DDR4固然也应用TSV衔接4个堆叠DRAM芯片片,但它并不是宽I/O(Wide I/O)元件,也不包含根底逻辑芯片片。海力士的HBM具有1024位元宽的汇流排,可完成128GB/s的性能,并足以显现它是Wide I/O。该元件应用根底逻辑芯片片作为介面,衔接4个DRAM芯片片堆叠以及一个援助HBM模组与AMD GPU的中介层。该HBM可视为3D封装,而两旁中介层上距离规划的GPU与HBM模组则构成2.5D封装。