【主管Q:34518577】无极下载依據Yole Development預測，功率電芯片體將從矽芯片徹底轉移至碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中完成更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC元件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，无极客户端Yole Development指出，促進這一轉型的宏大驅動力氣之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業。Yole預期EV/HEV產業將持續鼎力推進SiC技術，進一步降低電力電子產品的尺寸。

業界導入SiC和GaN等寬能隙(WBG)資料的停頓比Yole先前的預期更遲緩，但最新的報告聲稱開發這些新資料的業界廠商正渐入佳境，不只克製了原有的一些障礙，並且投入量產。除了混合與全電動汽車以外，Yole預測SiC主要針對600V的低壓以及高達3300V的高壓應用，无极例如功因校正(PFC)、光電、二極體、風力、不時電(UPS)係統以及馬達驅動器。

2014年全球SiC功率元件市場範圍約爲1.33億美圆，估計將在2020年以前生長到達4.36億美圆。功率二極體(80%都是SiC)仍將佔領最大的細分市場，其他依序爲PFC、PV逆變器、風力、UPS以及馬達驅動器。