无极总代平台_全球SiC功率元件市场2023年产值可望达22.8亿美元
国际电子商情9日讯 据市调机构最新研究数据，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，预计将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。
第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。
据TrendForce研究统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。
机构指出表示，SiC功率元件的前两大应用为电动汽车与再生能源领域，分别在2022年已达到10.9亿美元及2.1亿美元，占整体SiC功率元件市场产值约67.4%和13.1%。
车用方面，安森美与大众汽车（VM）签属战略协议，为VM提供EliteSiC 1200V主逆变器功率模块，另外该系列产品亦被起亚汽车（Kia Corporation）选中，用于EV6 GT车款；而Wolfspeed与奔驰（Benz）深化合作关系，提供其电动汽车所需的SiC功率元件。
再生能源方面，安森美也与Ampt合作，提供太阳能与储能系统优化器所需的SiC MOSFET；而英飞凌的CoolSiC已导入台厂台达电（Delta）的双向逆变器中，应用于太阳能发电、储能、电动汽车充电三合一系统，另外也助力布鲁姆能源（Bloom Energy）的燃料电池和电解系统效率提升。
SiC衬底方面，其在SiC功率元件中成本占比达49%，也是决定元件质量的关键，目前Wolfspeed的SiC衬底市占率逾六成，最受市场重视，其他业者包含英飞凌与Resonac就SiC原料签属长期供货协议，初期侧重6英寸、后期将侧重8英寸材料；另外意法半导体（ST）与Soitec合作，采用Soitec的SmartSiC技术来量产8英寸SiC衬底；以及Wolfspeed除了北卡罗来纳州的8英寸SiC衬底厂之外，还计划在德国建造8英寸SiC 功率元件制造厂，而采埃孚（ZF Group）也将为其投资数亿美元。
全球半导体厂商皆相当关注8英寸SiC衬底，在Wolfspeed率先开出8英寸SiC衬底产能的带领下，其他供应商将陆续跟上，并积极展开供应链上、下游合作。
因此，TrendForce预期，至2026年SiC功率元件市场产值可望达53.3亿美元。主流应用仍倚重电动汽车及再生能源，电动汽车产值可达39.8亿美元、CAGR约38%；再生能源达4.1亿美元、CAGR约19%。
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