DRAM：现货价格出现止跌现象；NAND Flash：市场报价小幅震荡；TF卡：市场价格变化较小。

DRAM：现货价格出现止跌现象

由于市场传出三星减产消息，部分现货商与模组厂暂停报价，造成近日DRAM现货价格有止跌现象，但受到当前库存量仍高影响，以及Kingston等大型模组厂并没有意向调涨报价，虽然短期的未来仍会有出现零星颗粒的涨幅，但整体回到价格上升趋势难度仍高。uTJesmc

DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC市场报价在USD1.55左右；Samsung WC-BCWE价格落在USD1.55~1.57，WC-BCTD成交落在USD1.55~1.60附近。uTJesmc

DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC价格为USD1.06，WF-BCWE报价在USD1.02。uTJesmc

DDR4 512x16 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC现货报价在USD1.54上下；Samsung DDR4 WC-BCWE价格为USD1.53~1.57附近，WC-BCTD价格成交落在USD1.52~1.54。uTJesmc

DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD成交在USD0.97。uTJesmc

模组现货价格参考：uTJesmc

KST DDR4 8G 2666 $15.10uTJesmc

KST DDR4 16G 2666 $28.00uTJesmc

KST DDR4 32G 2666 $55.00uTJesmc

KST DDR4 8G 3200 $15.60uTJesmc

KST DDR4 16G 3200 $29.00uTJesmc

KST DDR4 32G 3200 $57.00uTJesmc

KST DDR5 16G 4800 $44.00（KVR标准品）uTJesmc

NAND Flash：市场报价小幅震荡

市场受三星减产消息影响，wafer及eMMC皆有些许询单释出，在相对低价部位亦有成交，但因相应成品需求仍不理想，且终端拉货动能仍是缓慢，工厂端备货力道相对有限；然而，部分现货贸易商及特定工厂出现跌深反弹，未来供货紧缩的预期心理，并针对手上现有订单略微增多备货数量，造成市场报价呈现小幅震荡，实际需求动能呈现断断续续，微量涨价力道亦无法拉抬整体盘势，仅大多维持平盘局面。uTJesmc

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其中，Samsung SLC颗粒需求略为增多，但大多为固定需求，备货完成后市场报价又趋向平缓，并未明显受到减产消息而增加备货量。uTJesmc

SK Hynix部分，受SLC颗粒跌深反弹及新闻消息影响，价格相对止跌回稳，但工厂端需求承接力道亦是有限，价格仍维持小幅震荡。uTJesmc

Micron部分，SLC 2G/4G仍是买方主要询单目标，目标价格小有提升，但双方议价空间有限，最终成交情况仍不明朗。uTJesmc

Kioxia方面，SLC 1G/2G在固定需求支撑下，现货库存量有限，但在4G部分则有些许工厂端库存调节释出，造成盘势呈现些许疲弱，亦未见买单承接。uTJesmc

TF卡：市场价格变化较小

本周TF卡表现一般，受消息面影响，市场问价动作断断续续，但多是探价动作，部分买家仍持观望态度，实际释出需求有限，市场价格变化较小，整体成交量依然有限。uTJesmc

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责编：Momoz 文章来源及版权属于全球半导体观察，国际电子商情仅作转载分享，对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问，请联系Elaine.lin@aspencore.com 阅读全文，请先
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