【主管Q:34518577】无极注册链接 半导体芯片代工公司格罗方德(Globalfoundries)日前开发出援助4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网(IoT)安装的超低功耗请求——这主要来自于该公司与意法半导体(STMicroelectronics)在2012年所签署的一项受权协议。不过，那是在GlobalfoundriesCEOSanjay Jha于2014年初开端掌舵以前的事了。关于Globalfoundries来说，一开端的方案是作为ST28nm FD-SOI制程的受权代工厂。而当三星(Samsung)同意接手这项代工业务后，Globalfoundries开端投入自有的工程专业学问，研发基于22nm节点的4种不同制程技术，瞄准仅次于目前最先进的14nm FinFET制程所援助的应用。

Sanjay Jha曾经是摩托罗拉行动公司(Motorola Mobility)CEO——往常这家公司曾经是Google的一部份了——以及高通公司(Qualcomm)营运长。最近，他承受欧洲版《EE Times》记者专访，无极注册1960谈到了Globalfoundries为什么选择在这个时分拥抱FD-SOI。

“在28nm以后，摩尔定律(Moore's Law)将面临诸多应战，而业界则面临选择：鳍式场效电芯片体(FinFET)或全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)。我们在美国的芯片厂曾经具有14nm FinFET，而在收买IBM Microelectronics后，我们也行将获得7nm。FinFET非常合适高本钱、大量产且高性能的应用，但目前在IoT与行动范畴中有许多应用都请求更低功耗。”

那么，Globalfoundries为什么不早一点推出28nm FD-SOI的产品组合？

Jha指出：“22nm制程克制了在28nm遭遇到的一些应战。电芯片体的性能更好，尺寸微缩了20%，让我们得以补偿基板的本钱增加。这意味着我们能以同等于28nm[另类FD-SOI]的本钱，提供更好的性能。”

SOI芯片片的本钱较普通芯片片更高，无极客户端可能就是普通经常用于解释为什么英特尔与台积电(TSMC)对FinFET情有独钟而不愿运用FD-SOI途径的缘由之一。

电芯片体的动态控制

此外，Globalfoundries还善加应用让FD-SOI反向偏置以改动电芯片体閾值电压与性能特征的可能性，以至让客户动态调整运用这些特性。这并不是应用FinFET构造所能随便完成的。

Jha指出的第二个缘由是市场与客户需求不时变化。他说：“28nm在三年前还是十分先进的制程。当时我们并未看到关于28nm FD-SOI的市场需求。往常需求确实浮现了，因而必需再进一步微缩制程，由于市场曾经持续向行进展了。”

Jha指出，入门级与中阶手机应用都不需求最高性能，但关于电源效率仍非常敏感。同样地，许多IoT应用只需求十分少的原始处置才能，但必需大幅降低功耗。“目前的市场走势就是超低功耗。例如聪慧手表通常每天都必需充电一次，但我们以为，经过Globalfoundries的技术，能够使聪慧手表的电池续航力进步4倍。”